第一原理電子状態計算ソフトウェア
ASAP
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表面の再構成
本事例では、Si(001)面およびSiO₂の表面構造について、密度汎関数理論（DFT）に基づく第一原理MD計算を用いて再構成の様子を解析した。Si表面ではダイマー構造が形成され、SiO₂ではQ4表面の環構造が得られた。ポテンシャルエネルギーの変化から、最適化計算では到達できない構造への遷移が確認された。
解析・利用例のポイント
- Si表面のダイマー構造形成
- SiO₂表面の構造形成
Si表面の再構成
Si(001)面におけるMD計算の結果、表面原子がダイマー化する様子が確認された。ポテンシャルエネルギーの谷構造を越えて構造緩和が進行する様子が示されている。
Si(001)面のMD計算結果
SiO₂表面の構造形成
SiO₂のQ4表面において、すべての酸素がSiと結合した疎水的な表面構造が形成される。MD計算により特徴的な環構造が得られた。
SiO₂のQ4表面構造形成
解析内容の詳細
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